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2020-2021年tft制程简介.ppt

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内容要点:
2020-2021年tft制程简介,TFT制程简介说明For : NBLCM F.A. TeamAuthor: Jessica _ LinDate:2009/1/8目录 :? TFT制作流程图? TFT制作过程说明? TFT五层制程说明? TFT的制作类型? TFT的工作原理? 补充说明 :? 1.实际显微镜下的比对? 2.TFT-LCD的工作说明? 其它 …TFT制作流程图 :PreCleanThin Film Deposition1.Macro-Inspection2.MonitorPR coatingExposureDeveloping1.ADI2.CD measurement3.AOIDry or Wet EtchingResist stripping1.AEI2.CD measurement3.Etch rate monitor4.AOIPreClean1.Test key2.Function test3.Laser repairPhoto ProcessThin Film Process Etching ProcessFinal testingTFT制程区域划分 :薄膜区 --各层之薄膜成长黄光区 --曝光 .显影蚀刻区 --图案成形及去光阻测试区 --array及外部电路之检查Equipment:Plasma CVD ,Sputter-----薄膜Nikon stepper , Canon scaner----黄光Dry , Wet Etching----蚀刻TFT制作流程说明 :黄 光 前 洗 净PR Coating曝 光显 影蚀 刻去 除 光 阻检 查薄 膜 沉 积循环制程只有单一层次说明 :TFT Substrate1) Gate Metal (AlNd \MoN)镀上 MoN(氮化钼 ),Al+3%Nd (GATE)2) G I N (SiNx \a-Si \n+ a-Si)G: Gate SiNx (氮硅化合物 ,绝缘层 )I: a-Si (非结晶硅 ,通道层 )N: N+ (高浓度磷 (PH3)的硅 )降低界面电位差 ,使成为奥姆接触 (Omic contact)3) S/D Metal (Mo \Al\Mo)镀上镀上 MoN(氮化钼 ),pure Al(source,drain)4) Passivation (SiNx)镀上 保护层 (把金属部份盖住 )5) ITO (Indium-Tin-Oxide)镀上 ITO (铟锑氧化物 ,画素电极 )TFT Layers 五层结构图GateGlass Substratea-SiGate metalLayer-1Insulator (G-SiNx)Layer-2n+ a-SiS/D metalLayer-3S/D metalLayer-3PassivationLayer-4ITOLayer-5PassivationLayer-4Source DrainTFT制作流程图 :Initial clean初始清洗Metal 1 DepositionGate薄膜沈积Pre-Dep clean沈积前清洗Pre-Photo clean光阻被覆 /曝光 /显影Metal 1 photoLayer 1黄光制程Wet etchLayer 1蚀刻PR strip去除光阻Pre-dep clean沈积前预洗G-I-N DepositionG-I-N 薄膜沈积ADI CD显影后 CD量测CD Loss蚀刻后 CD Loss量测Marco Inspection强光检查IN photoIN黄光

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